 |
أ ٌ ْ ھ ـ ٕ ء ة ى ء غ ظ ض ذ خ ث ت ش ر ق ص ف ع س ن م ل ك ي ط ح ز ئ و ه د ج ب ا آ ی پ ڥ چ گ ڨ ڭ ݣ >>
| Terms for subject Semiconductors (351 entries) |
| الكترونيات متناهية الصغر | マイクロエレクトロニクス | |
| المساحة الحثية الفعالة لحلقة الخرج | 出力ループの実効誘導面積 | |
| المساحة الحثية الفعالة لحلقة تيار التحكم | 制御電流ループの実効誘導面積 | |
| المعدل الحرج لصعود التيارفى حالة الوصل | 臨界オン電流上昇率 | |
| المعدل الحرج لصعود الجهد فى حالة الفصل | 臨界オフ電圧上昇率 | |
| الموصلية التبادلية (لترانزستور تأثير المجال) | 相互コンダクタンス (電界効果トランジスタの) | |
| انتشارفى شبة موصل | 拡散 (半導体中の) | |
| انجراف, قابلية الحركة ( لحوامل الشحنات ) | ドリフト移動度 (電荷の) | |
| انجراف, قابلية الحركة ( لحوامل الشحنات ) | 移動度 (電荷の) | |
| انهيارلوصلة PNمنحازةعكسيا | 降伏 (逆バイアスされたＰＮ接合の) | |
| انهيارجرفىلوصلةPN | アバランシェ降伏 (半導体のＰＮ接合の) | |
| انهيارحرارى (لوصلةPN) | 熱破壊 (ＰＮ接合の) | |
| انهيارزينر (لوصلة PN) | ツェナー降伏 (ＰＮ接合の) | |
| باعث ضوئى | フォトエミッタ | |
| باعث مشترك | エミッタ接地 | |
| باعث مشترك عكسى | 逆方向エミッタ接地 | |
| بلورة مثالية | 完全結晶 | |
| تأثير الفولتى ضوئى فى توليد الكهرباء | 光起電力効果 | |
| تأثير كهرومغناطيسى ضوئي | 光電磁効果 | |
| تجميع حوامل الشحنات (فى شبة موصل) | 電荷蓄積 (半導体中の) |