| English | Russian |
| aluminium-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| aluminium-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate CCD | ПЗС с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate MOS device | МОП-прибор с алюминиевым затвором |
| aluminum-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
| avalanche-injection stacked gate mos | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| back-gate MOS | МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристалла |
| back-gate mos | МОП-структура с нижним затвором |
| barrier-gate fet | полевой транзистор с барьером Шотки |
| barrier-gate FET | полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки |
| bevel gear gate lifting device | подъёмник затвора с конусным зубчатым колесом |
| bipolar insulated-gate field-effect transistor | прибор на основе комбинации биполярного транзистора и полевого транзистора с изолированным затвором |
| bipolar insulated gate field-effect transistor | фирменное название ИС, содержащей биполярные транзисторы на выходе и полевые транзисторы с изолированным затвором |
| bipolar insulated-gate field-effect transistor | прибор на основе комбинации биполярного транзистора и |
| bipolar insulated-gate structure | биполярная структура с изолированным затвором (ssn) |
| bipolar-insulated gate fet ic | ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами |
| bottom gate junction | переход нижнего затвора (полевого транзистора) |
| buried-gate structure | структура с углублённым затвором |
| channeled gate array | специализированная ИС на основе стандартных матриц логических элементов с каналами между соседними матрицами логических элементов |
| channeled gate array | специализированная ИС с каналами между соседними матрицами логических элементов |
| channelless gate array | специализированная ИС с одной большой матрицей логических элементов |
| common-gate FET | полевой транзистор, включённый по схеме с общим затвором |
| complementary insulated gate FET | ИС на комплементарных полевых МОП транзисторах с изолированным затвором |
| complementary insulated-gate fet | комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором |
| composite-gate mos structure | МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| controlled delay gate stealer | ретранслятор зондирующего импульса с регулируемой задержкой |
| delayed gate impulse generator | генератор задержанных стробирующих импульсов |
| diffused-gate structure | структура с диффузионным затвором |
| double-gate FET | двухзатворный полевой транзистор |
| double-gate field-effect transistor | двухзатворный полевой транзистор |
| dual-gate field-effect transistor | двухзатворный полевой транзистор |
| dual-gate MOSFET | двухзатворный МОП-транзистор |
| dual-gate MOSFET | двухзатворный полевой МОП-транзистор |
| dual-dielectric gate insulation | изоляция затвора двухслойным диэлектриком |
| dual-injection floating-gate MOS | МОП-структура с биполярной инжекцией и плавающим затвором |
| dual-injector floating gate MOS | технология изготовления энергонезависимого ЗУ на МОП транзисторах с плавающим затвором и лавинной инжекцией электронов через окисел затвора от специального диода |
| dynamic transmission-gate edge-triggered register | динамический регистр на проходных логических элементах, управляемый фронтом сигнала (ssn) |
| dynamic transmission-gate edge-triggered register | динамический регистр на проходных логических элементах, управляемый фронтом (сигнала ssn) |
| dynamic transmission-gate edge-triggered registers | динамические регистры на проходных логических элементах, управляемые фронтом сигнала (ssn) |
| dynamic transmission-gate edge-triggered registers | динамические регистры на проходных логических элементах, управляемые фронтом (сигнала ssn) |
| dynamic transmission-gate register | динамический регистр на проходных логических элементах (ssn) |
| dynamic transmission-gate registers | динамические регистры на проходных логических элементах (ssn) |
| early-late gate synchronizer | синхронизатор с опережающим и запаздывающим стробированием |
| emergency gate slot | паз аварийного затвора |
| enhancement metal schottky gate fet | полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения |
| enhancement-type field-effect insulated-gate transistor | полевой транзистор с изолированным затвором, работающий |
| enhancement-type schottky-barrier gate fet | полевой транзистор с затвором Шотки, работающий в режиме обогащения |
| field-programmable gate array | программируемая логическая интегральная схема типа FPGA (masay) |
| float-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor structure | структура металл-оксид-полупроводник с плавающим затвором и лавинной |
| float-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor structure | структура МОП-структура с плавающим затвором и лавинной |
| floating-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | лавинно-инжекционный МОП-прибор с плавающим затвором |
| floating-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором (transistor) |
| floating-gate avalanche-injection mos | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| floating-gate avalanche-injection MOS structure | МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
| floating-gate avalanche-injection MOS structure | структура металл-оксид-полупроводник с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
| floating-gate avalanche-injection MOS transistor | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором |
| floating-gate corner avalanche technology | технология приборов с плавающими кремниевыми затворами и лавинной инжекцией через угловые участки канала |
| floating-gate device | прибор с плавающим затвором |
| floating-gate ic | ИС на МОП-транзисторах с плавающими затворами |
| floating-gate mos | МОП-структура с плавающим затворам |
| floating-gate silicon process | технология ИС на МОП-транзисторах с плавающими кремниевыми затворами |
| floating-gate transistor | МОП-транзистор с плавающим затвором |
| floating-gate tunnel-oxide | плавающий затвор с туннельным окислом |
| floating Si-gate tunnel-injection MIS | МДП-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим затвором (transistor) |
| floating si-gate tunnel-injection mis transistor | мдп-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим |
| flux-gate compass | феррозондовый гирокомпас |
| forward gate voltage | напряжение включения по управляющему электроду |
| fuel pit gate shield slab | плита защиты шлюза бассейна выдержки топлива |
| gate a pulse train | разрешать прохождение последовательности импульсов (ssn) |
| gate-activated switch | двухоперационный тринистор |
| gate-activated switch | двухоперационный триодный тиристор |
| gate amplifier | усилитель селекторных импульсов |
| gate amplifier | усилитель в схеме логического элемента |
| gate and pin assignment | установление связей между узлами (на стадии размещения компонентов в машинном проектировании ПП) |
| gate area | площадь затвора |
| gate area | площадь ворот |
| gate array | логическая матрица (с использованием концепции базовых ячеек) |
| gate array | матрица временных селекторов |
| gate-array approach | метод матриц логических элементов (напр. в САПР) |
| gate-array approach | метод базового матричного кристалла |
| gate-array chip | базовый матричный кристалл |
| gate-array device | логическая матрица (с использованием концепции базовых ячеек) |
| gate-array device | матрица логических элементов |
| gate-array integration | цифровая матричная ИС |
| gate-array master chip | базовый матричный кристалл |
| gate arrays | матрицы логических элементов (ssn) |
| gate-assisted turn-off thyristor | быстродействующий выключаемый тиристор |
| gate-assisted turn-off thyristor | тиристор, запираемый при участии управляющего электрода (ssn) |
| gate associated transistor | транзистор с объединённым затвором |
| gate bay | пролёт затвора |
| gate bias | напряжение смещения на затворе |
| gate-bias modulation | модуляция с помощью изменения напряжения смещения на затворе (полевого транзистора) |
| gate-bias modulation | модуляция смещением на затворе |
| gate board | плата вентильной схемы (или стробирующей схемы Верещагин) |
| gate chamber | камера клапанов |
| gate-channel junction | переход затвор-канал (полевого транзистора) |
| gate charge | заряд затвора |
| gate circuit | строб-контур |
| gate circuit | стробируемая цепь |
| gate circuit | стробируемая схема |
| gate circuit | электронное реле |
| gate circuit | стробирующая схема |
| gate circuit | селекторная схема |
| gate complexity | степень интеграции ИС в эквивалентных логических элементах |
| gate connection | вывод управляющего электрода |
| gate connection | вывод затвора (полевого транзистора) |
| gate control | управление с помощью управляющего электрода |
| gate control house | помещение для управления затвором |
| gate-controlled delay time | время задержки по управляющему электроду |
| gate-controlled diode | полевой транзистор |
| gate-controlled rectifier | однооперационный тринистор |
| gate-controlled rise time | время нарастания по управляющему электроду |
| gate controlled switch | строб-управляемый выключатель |
| gate-controlled turn-off time | время выключения по управляющему электроду (тиристора) |
| gate current | ток управляющего электрода тиристора |
| gate delay | время задержки сигнала на логический элемент |
| gate delay | время задержки в логическом элементе |
| gate density | плотность упаковки ИС в эквивалентных логических элементах |
| gate density | плотность упаковки в эквивалентных логических элементах |
| gate descriptor | дескриптор логического элемента |
| gate-drain capacitance | ёмкость затвор-сток (полевого транзистора) |
| gate-drain junction | переход затвор-сток (полевого транзистора) |
| gate driver | драйвер для управления затвором (IGBT romea) |
| gate-equivalent | элементарная ИС из 7-10 элементов, являющаяся условной единицей измерения степени интеграции БИС |
| gate equivalent circuit | схема, эквивалентная логическому элементу (условная единица измерения степени интеграции цифровых ИС) |
| gate-equivalent circuit | схема, эквивалентная логическому элементу |
| gate fold | фальцовка "калиткой" |
| gate frame | рама затвора |
| gate guide | рельс затвора |
| gate hoist | подъёмник затвора |
| gate holing current | незапирающий ток управляющего электрода тиристора |
| gate house | помещение затвора |
| gate house | камера клапанов |
| gate-injection mos | МОП-структура с инжекционным затвором |
| gate input | стробирующий вход (ssn) |
| gate-insulation breakdown | пробой изоляции затвора |
| gate-insulation layer | изолирующий слой затвора |
| gate-insulator breakdown | пробой изоляции затвора |
| gate leaf | обшивка затвора |
| gate-level logic simulation | моделирование на уровне логических элементов (ssn) |
| gate-level netlist | таблица соединений вентилей (ssn) |
| gate-level simulation | моделирование на уровне логических элементов |
| gate lifting device | подъёмная установка затвора |
| gate lock | стопор затвора |
| gate mobile communications control | подсистема управления подвижной связью |
| gate nontrigger current | неотпирающий ток управляющего электрода тиристора |
| gate non-trigger voltage | неотпирающее напряжение на управляющем электроде |
| gate opening | отверстие затвора |
| gate operating deck | пульт управления затвором |
| gate operating mechanism | механизм управления затвором |
| gate operating platform | платформа для управления затвором |
| gate operating ring | регулирующее кольцо турбины |
| gate operation | режим стробирования |
| gate overlapping | перекрытие затворов |
| gate oxide | подзатворный оксид |
| gate-oxide defect | дефект подзатворного оксида |
| gate-oxide integrity | целостность подзатворного оксида |
| gate pier | бычок затвора |
| gate pivot | ось вращения затвора |
| gate probe | зонд затвора (SBSun) |
| gate-pulse amplifier | усилитель стробирующих импульсов |
| gate-pulse amplifier | усилитель селекторных импульсов |
| gate rail | рельс затвора |
| gate recess | впадина для затвора |
| gate recess | углубление для затвора |
| gate seat | опорная поверхность затвора |
| gate servomotor | сервомотор направляющего аппарата |
| gate shaft | шахта затвора |
| gate slab | бетонная плита затвора плотины |
| gate-source capacitance | ёмкость затвор-исток (полевого транзистора) |
| gate-source junction | переход затвор-исток (полевого транзистора) |
| gate stealer | ретранслятор зондирующего импульса |
| gate stem | стержень затвора |
| gate threshold voltage | пороговое напряжение включения (полевого транзистора MasterK) |
| gate-to-channel diode | переход затвор-канал (в полевом транзисторе) |
| gate-to-channel junction | переход затвор-канал (полевого транзистора) |
| gate-to-drain field | поле между затвором и стоком (полевого транзистора) |
| gate-to-drain impedance | полное сопротивление перехода затвор-сток |
| gate-to-drain impedance | полное сопротивление перехода затвор-сток |
| gate-to-drain impedance | полное сопротивление затвор-сток |
| gate-to-drain junction | переход затвор-сток (полевого транзистора) |
| gate-to-source impedance | полное сопротивление затвор-исток |
| gate-to-source impedance | полное сопротивление перехода затвор-исток |
| gate-to-source impedance | полное сопротивление перехода затвор-исток |
| gate-to-source junction | переход затвор-исток (полевого транзистора) |
| gate-to-substrate breakdown | пробой изоляции затвора |
| gate trap | ловушка затвора |
| gate trigger current | отпирающий ток управляющего электрода тиристора |
| gate-triggered didt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания |
| gate-triggered di/dt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания тока управляющего электрода (в тиристорах) |
| gate-triggered diode | переключательный диод |
| gate-triggered diode | полевой транзистор |
| gate-triggered dvdt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания |
| gate-triggered dv/dt failure | отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания напряжения управляющего электрода (в тиристорах) |
| gate triggering of thyristor | включение тиристора по управляющему электроду (ssn) |
| gate turn-off | тиристор с выключением по управляющему электроду (thyristor) |
| gate turn-off controlled rectifier | отключаемый тиристор |
| gate turn-off current | запирающий ток управляющего электрода тиристора |
| gate-turnoff silicon-controlled rectifier | двухоперационный триодный тиристор |
| gate-turnoff silicon-controlled rectifier | двухоперационный тринистор |
| gate-turnoff switch | двухоперационный тринистор |
| gate-turnoff switch | двухоперационный триодный тиристор |
| gate-turnoff thyristor | запираемый триодный тиристор |
| gate underlaid transistor | прибор, представляющий собой комбинацию стандартного n-p-n транзистора и полевого транзистора с р-n переходом |
| gate valve | запирающая лампа |
| gate voltage | напряжение затвора |
| gate well | шахта задвижки |
| gate well | колодец затвора |
| gate-width | ширина пропускания |
| grooved-gate mos-transistor | МОП-транзистор с v-образным затвором |
| grounded-gate amplifier | усилитель с общим затвором |
| grounded-gate FET | полевой транзистор, включённый по схеме с общим затвором |
| head-gate duty | производительность пропуска воды для головного затвора |
| heterojunction-gate FET | полевой транзистор с затвором на гетеропереходе |
| hoist gate lifting device | установка для подъёма затвора |
| inner gate barrel | внутренное кольцо направляющего аппарата |
| 3-Input NAND Gate Cell | Элемент НЕ-И с тремя входами (ssn) |
| insulated-gate device | прибор с изолированным затвором |
| insulated-gate electrode | изолированный электрод затвора |
| insulated-gate FET | полевой МДП-транзистор |
| insulated-gate field-effect transistor | полевой МДП-транзистор |
| insulated gate structure | структура с изолированным затвором |
| insulated gate structure | структура "кремний на диэлектрике" |
| insulated-gate tetrode | полевой тетрод с изолированным затвором |
| isolated-gate fet | полевой транзистор с изолированным затвором |
| isolated-gate mos | МОП-структура с изолированным затвором |
| isolated-gate p-n-p-n switch | тиристор с изолированным управляющим электродом |
| isolated oxide polysilicon gate CMOS | вариант комплементарной МОП структуры с поликремниевым затвором и окисной изоляцией |
| isolated silicon-gate cmos | КМОП ИС с изолированными кремниевыми затворами |
| junction-gate device | прибор с плоскостным затвором |
| junction gate FET | плоскостный униполярный транзистор |
| junction-gate FET | полевой транзистор с управляющим p-n-переходом |
| junction-gate fet | полевой транзистор с управляющим p-n переходом |
| junction gate FET | полевой транзистор с p-n переходом |
| junction gate field effect transistor | плоскостной полевой транзистор |
| junction-gate field-effect transistor | плоскостной канальный транзистор |
| junction gate static induction transistor | статический индукционный транзистор с плоскостным затвором |
| junction-gate thyristor | тиристор с p-n-переходом в области управляющего электрода |
| long gate length FET | полевой транзистор с длинным затвором (ssn) |
| long gate length field effect transistor | полевой транзистор с длинным затвором (ssn) |
| long gate length field-effect transistor | полевой транзистор с длинным затвором (ssn) |
| loss of gate control | потеря управления по управляющему электроду (в тиристорах) |
| lower gate recess | нижняя ниша затвора |
| meshed gate structure | структура МДП транзистора с поликремниевым сетчатым затвором (фирмы Hitachi, Япония) |
| metal-gate MOS device | МОП-прибор с металлическим затвором |
| metal gate transistor | транзистор с металлическим затвором |
| metal-gate transistor | полевой транзистор с металлическим затвором |
| metal-nitride-semiconductor/insulated gate FET | полевой транзистор с изолированным затвором и нитридным изолирующим слоем |
| metal-Schottky gate field-effect transistor | полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки |
| mitre gate leaf | обшивка двустворчатых ворот |
| MOS insulated-gate field-effect transistor | полевой МОП-транзистор с изолированным затвором |
| motor-operated main gate valve | электрический главный клапан |
| multilayer-gate FET | полевой транзистор с многослойным затвором |
| multilayer-gate transistor | полевой транзистор с многослойным затвором |
| multiple-gate MOS transistor | многозатворный МОП-транзистор |
| n-gate thyristor | тиристор с управляющим электродом п-типа |
| n-gate thyristor | тиристор с n-управляющим электродом |
| narrow-gate delay multivibrator | узкостробно-задерживающий мультивибратор (ssn) |
| narrow-gate pulse | узкий селекторный импульс (ssn) |
| n-channel depletion insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
| n-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
| nor-gate phase shifter | фазовращатель на логических элементах или не |
| not surprisingly, the output of the gate rises 5 ps after the rising edge is applied to the input, and it falls 8 ps after the falling edge is applied to the input | не удивительно, что напряжение на выходе логического элемента возрастает через 5 пс после приложения к входу фронта импульса, и падает через 8 пс после снятия импульса на входе (см. 'The Design Warrior's Guide to FPGAs' by Clive "Max" Maxfield 2004) |
| overlaid gate electrode | структура с перекрытым затвором |
| overlapping-gate structure | структура с перекрывающимися затворами (в ПЗС) |
| p-gate thyristor | тиристор с p-управляющим электродом |
| p-channel depletion insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
| p-channel enhancement insulated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором и каналом |
| p-channel metal-gate technology | технология изготовления транзисторов с каналом p-типа и металлическим затвором |
| Pd-gate MOS transistor | МОП-транзистор с палладиевым затвором |
| pin-to-gate ratio | число выводов на одну логическую схему |
| polysilicon-gate CCD | ПЗС с поликристаллическими кремниевыми затворами |
| programmable gate array | программируемая матрица логических элементов |
| range-gate stealer | ретранслятор зондирующего импульса с регулируемой задержкой |
| refractory gate MOS | разновидность МОП структуры, отличающаяся высокой нагревостойкостью |
| resistive gate-insulator-semiconductor | структура МДП транзистора с резистивным затвором |
| resonant-gate FET | полевой транзистор с резонансным затвором |
| resonant-gate transistor | МОП транзистор с "резонансным" затвором |
| resonant-gate transistor | полевой транзистор с резонансным затвором |
| Schottky-gate FET | полевой транзистор с барьером Шотки |
| Schottky-gate FET | полевой транзистор с затвором в виде барьера Шотки |
| Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital device | цифровой прибор на эффекте Ганна с затвором в виде барьера Шотки |
| Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital device | цифровой прибор на эффекте междолинного переноса электронов с затвором в виде барьера Шотки |
| Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital device | цифровой ганновский прибор с затвором в виде барьера Шотки |
| Schottky-barrier isolated-gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным затвором в виде барьера Шотки |
| Schottky-barrier-coupled Schottky-barrier-gate GaAs field-effect-transistor logic | логическая ИС на полевых транзисторах из GaAs с барьером Шоттки, связанных между собой также барьерами Шоттки |
| screw and worm gate lifting device | подъёмное устройство для подъёма затвора с первичным винтом |
| seal gate valve | герметизирующая задвижка |
| self-aligned gate field-effect transistor | полевой транзистор с самовыравнивающимся затвором |
| self-aligned gate MOS | МОП структура с самосовмещёнными затворами |
| Sensitive Gate SCR | тиристор с чувствительным затвором (Maxim Sh) |
| shielding gate valve | защитная задвижка |
| short-gate FET | полевой транзистор с коротким затвором |
| short-gate field-effect transistor | полевой транзистор с коротким затвором |
| silicon-gate-controlled AC switch | двухоперационный триодный тиристор |
| silicon-gate-controlled AC switch | двухоперационный тринистор |
| silicon gate MOS | МОП прибор с кремниевым затвором |
| silicon-gate MOS IC | МОП ИС с кремниевыми затворами |
| silicon-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с кремниевыми затворами |
| silicon gate MOS memory device | ЗУ на МОП-приборах с кремниевым затвором |
| silicon-gate MOS memory device | ЗУ на МОП-транзисторах с кремниевыми затворами |
| silicon gate technology | технология изготовления ИС с кремниевыми затворами |
| silicon insulated gate field-effect transistor | полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором |
| simple-gate IC | ИС с простыми логическими элементами |
| single-gate MOSFET | однозатворный полевой МОП-транзистор |
| single-gate MOSFET | однозатворный МОП-транзистор |
| single-event gate rupture | Пробой подзатворного диэлектрика в мощных МОП-транзисторах (происходит в результате попадания в транзистор тяжёлых заряженных частиц с высокой энергией Klimonka) |
| SRAM-based field-programmable gate array | ПЛМ типа FPGA на модулях оперативной памяти типа SRAM |
| SRAM-based field-programmable gate array | программируемая логическая матрица типа FPGA на модулях статической оперативной памяти |
| stacked-gate avalanche-injection MOS | МОП структура лавинно-инжекционного типа с пакетным наборным затвором |
| stacked-gate tetrode | тетрод с многослойным затвором |
| steam gate valve | паровой клапан |
| stop log gate slot | паз шандорного затвора |
| submicron gate FET | полевой транзистор с субмикронным затвором |
| time gate signal | сигнал временных ворот (MaryChristmas) |
| top gate junction | переход верхнего затвора (полевого транзистора) |
| transmission gate-based lookup table | таблица соответствия на основе передаточных вентилей (ssn) |
| transmission gate-based LUT | таблица соответствия на основе передаточных вентилей (ssn) |
| transmission-gate register | регистр на проходных логических элементах (ssn) |
| transmission-gate registers | регистры на проходных логических элементах (ssn) |
| traveling gate hoist | передвижная лебёдка для затвора |
| traveling gate hoist | передвижная лебёдка |
| travelling gate hoist | передвижная лебёдка для затвора |
| travelling gate hoist | передвижная лебёдка |
| two-gate FET | двухзатворный полевой транзистор |
| two-level polysilicon gate technology | метод двукратного наращивания поликристаллического кремния |
| universal gate array | универсальный массив вентилей |
| universal gate array | базовый кристалл |
| universal gate array | матричная БИС |
| wide-gate multivibrator | широкостробный мультивибратор (ssn) |
| wide-gate multivibrator | мультивибратор длительной засветки (ssn) |
