 |
| English | Russian |
| oxide isolated process-S technology | технология биполярных ИС с боковой окисной изоляцией компонентов |
| super-self-aligned process technology | технология биполярных ИС, использующая принцип самосовмещения при формировании транзисторных структур (усовершенствованный вариант технологии с использованием принципа самосовмещения при формировании полупроводниковых слоёв транзисторных структур) |