| Ukrainian | English |
| алюмінієва металізація на кремнії | Al/Si metallization |
| аморфна форма діоксиду кремнію | glass |
| аморфний кремній | amorphous silicon (а-Si) |
| бездефектний кремній | zero-defect silicon |
| вихідний кремній | native silicon |
| власний діоксид кремнію | native-grown silicon dioxide |
| газоподібне джерело кремнію | silicon-source gas (напр. силан) |
| герметизація кремній-органічною смолою | silicone encapsulation |
| герметик з кремній-органічного полімеру | silicone encapsulant |
| гідрогенізований аморфний кремній | hydrogenated amorphous silicon |
| гідрофобний діоксид кремнію | hydrophobic silica |
| двошарова плівка полікристалічного кремнію | double poly |
| дифузія з легованого полікристалічного кремнію | doped-polysilicon diffusion |
| дифузія, прискорена оксидуванням кремнію | oxidation-enhanced diffusion |
| домішка для кремнію | silicon dopant |
| діелектрична підкладка з шаром кремнію | SOI substrate |
| діоксид кремнію | silicon oxide (SiO2) |
| діоксид кремнію | silicon dioxide (SiO2) |
| діоксид кремнію | silica (SiO2) |
| діоксид кремнію | quartz (SiO2) |
| діоксид кремнію | oxide (SiO2) |
| діоксид кремнію | silox (SiO2) |
| діоксид кремнію | dioxide (SiO2) |
| діоксид кремнію з імплантованими іонами бору | boron-implanted oxide |
| діоксид кремнію, легований фосфором | phosphorus doped oxide |
| діоксид кремнію, сформований в канавках | recessed silicon dioxide |
| діоксид підзатвора кремнію | gate oxide |
| евтектика золота і кремнію | gold-silicon eutectic |
| епітаксіальне нарощування напівпровідника і імплантація іонів азоту для формування нітриду кремнію | Implant-Epi |
| епітаксійний горб кремнію у вигляді піраміди | silicon pyramid |
| епітаксійний кремній | epitaxial silicon |
| заповнення напр. канавок діоксидом кремнію | dioxide filling |
| заповнення V-подібних ізолюючих канавок полікристалічним кремнієм | V-groove isolation polycrystal backfill |
| затвор з легованого полікристалічного кремнію | doped polysilicon gate |
| затвор з монокристалічного і полікристалічного кремнію | single-poly gate |
| затвор з полікристалічного кремнію | polysilicon gate |
| затвор з полікристалічного кремнію | polycrystalline silicon gate |
| затвор МОН-транзистора з полікристалічного кремнію n+-типу | n+ poly gate |
| затвор МНОН-структури з ізолюючим шаром з нітриду кремнію | nitride gate |
| злиток кремнію з орієнтацією 100, вирощений за методом Чохральського | silicon CZ100 |
| канавка в кремнії | silicon trough |
| конденсатор з діелектриком з нітриду кремнію | nitride capacitor |
| кремній з високим питомим опором | high-resistivity silicon |
| кремній з відкритою поверхнею | bare silicon (без захисного оксидного шару) |
| кремній з легуванням, що компенсується | counterdoped silicon |
| кремній з шаром силіциду | silicided silicon |
| кремній з імплантованими іонами бору | boron-implanted silicon |
| кремній, зміцнений германієм | germanium hardened silicon |
| кремній напівпровідникової чистоти | semiconductor-grade silicon |
| аморфний кремній, одержаний в тліючому розряді | glow-discharge silicon |
| кремній, одержаний методом зонної плавки | floating-zone silicon |
| кремній, одержаний методом зонної плавки | float-zone silicon |
| кремній, одержаний методом Чохральського | Czochralski silicon |
| кремній, одержаний методом Чохральського | CZ silicon |
| кремній, орієнтований в кристалографічній площині 111 | 111 silicon |
| кремній, перетворений на аморфний стан під дією іонної імплантації | implantation-amorphised silicon |
| кремній, підданий електронно-променевій обробці | electron-irradiated silicon |
| легований діоксид кремнію | doped oxide |
| легований кремній | doped silicon |
| маска з діоксиду кремнію | quartz mask |
| маска з діоксиду кремнію | oxidation mask |
| маскування діоксидом кремнію | silicon-dioxide masking |
| маскуючий діоксид кремнію | masking oxide |
| маскуючий діоксид кремнію | mask oxide |
| матеріал із структурою типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-insulator material |
| матеріал із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire material |
| межа розділу кремній–діоксид кремнію | silicon-silicon dioxide interface |
| метод виготовлення ІС з двома рівнями полікристалічного кремнію | two-polysilicon approach |
| метод формування шару нітриду кремнію | nitride process |
| МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію | two-level polysilicon MOS device |
| монокристал кремнію | silicon monocrystal |
| монокристалічний кремній | single-crystal silicon |
| монооксид кремнію | silicon monoxide (SiO) |
| МОН-структура з двома рівнями полікристалічного кремнію | double-level polysilicon MOS |
| МОН-структура із затворами з монокристалічного і полікристалічного кремнію | single-poly gate MOS |
| міжз'єднання з полікристалічного кремнію | polysilicon interconnection |
| міжз'єднання з полікристалічного кремнію | polycrystalline-silicon interconnection |
| мікропроцесор із структурою типу "кремній на сапфірі" | sapphire micro |
| надгратка на основі шарів Si–Ge на кремнії | silicon-germanium superlattice |
| напівпровідниковий матеріал з молекулярно-епітаксійним шаром кремнію | Si-MBE material |
| нейтронно-легований кремній | neutron-doped silicon |
| нітрид кремнію | silicon nitride (Si3N4) |
| нітрид кремнію | nitride (Si3N4) |
| нітрид кремнію з імплантованими іонами бору | boron-implanted nitride |
| об'ємний кремній | bulk silicon (стосовно кремнієвої підкладки без епітаксійного шару) |
| область з поверхнею розділу кремній–сапфір | silicon-sapphire interface region |
| область полікристалічного кремнію на оксидному шарі | polysilicon-on-oxide region |
| оксид полікристалічного кремнію | polyoxide |
| оксидування кремнію під маскою | lateral oxidation |
| оксинітрид кремнію | silicon oxynitride |
| перемичка з полікристалічного кремнію | polysilicon jumper |
| перемичка з сильнолегованого кремнію | heavily-doped silicon conduit |
| плавка перемичка з полікристалічного кремнію | polysilicon fuse |
| плавка ізоляційна перемичка з діоксиду кремнію | silicon dioxide fusoisolator |
| пластина з сапфіра з шаром кремнію | SOS wafer |
| плівка діоксиду кремнію, сформована оксидуванням в парах води | vapox coating |
| плівка діоксиду кремнію, сформована оксидуванням в парах води | vapor-oxidation coating |
| полікристалічний кремній | silicon polycrystal |
| полікристалічний кремній | poly |
| полікристалічний кремній | polycrystal |
| полікристалічний кремній | polysilicon |
| полікристалічний кремній | microcrystalline silicon |
| полікристалічний кремній, вирощений методом відкритої труби | open-tube poly |
| полікристалічний кремній з шаром силіциду | silicided polysilicon |
| полікристалічний кремній, рекристалізований лазерним променем | laser crystallized polysilicon (до монокристалічного кремнію) |
| полікристалічний кремній р+-типу | p+ doped polysilicon |
| пористий кремній | porosilicon |
| прилад із структурою типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-insulator device |
| прилад із структурою типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-dielectric device |
| прилад із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire device |
| провідник з полікристалічного кремнію | polysilicon line conductor |
| підкладка з бездислокаційного кремнію | dislocation-free substrate |
| підкладка з структурою типу "кремній на сапфірі" | SOS substrate |
| підкладка із структурою типу "кремній на діелектриці" | SOI substrate |
| підтравлення кремнію під діоксидом кремнію | bat cave |
| резистор з полікристалічного кремнію | polysilicon resistor |
| реоксидування полікристалічного кремнію | poly reox |
| речовина, що служить для формування шару кремнію | Si-yielding precursor |
| розплав кремнію | silicon pool |
| р–n-перехід між кремнієм і ртутним зондом | mercury-probe-silicon diode |
| рідкий травник для кремнію | silicon etch solution |
| сапфірова підкладка з шаром кремнію | SOS substrate |
| сапфірова стрічка з шаром кремнію | silicon-on-sapphire ribbon |
| сильнолегований діоксид кремнію | heavily-doped silox |
| силіцид, одержаний безпосередньою реакцією між металом і кремнієм | direct-reacted silicide |
| структура метал–діелектрик–кремній | metal-insulator-silicon |
| структура резистора з полікристалічного кремнію | polycrystalline resistor structure |
| структура типу "кремній в сапфірі" | silicon-in-sapphire structure |
| структура типу "кремній на діелектрике" | silicon-on-insulator structure |
| структура типу "кремній на діелектрике" | silicon insulator structure |
| структура типу "кремній на діелектриці" | silicon-on-insulator |
| структура типу "кремній на діелектриці" | insulated substrate structure |
| структура типу "кремній на оксидному діелектрику" | silicon-over oxide-semiconductor structure |
| структура типу "кремній на оксиді" | silicon-over oxide-semiconductor structure |
| структура типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire structure |
| структура типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire composite |
| структура типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire |
| структура типу "кремній на шпінелі" | silicon-on-spinel structure |
| структура ІС з трьома рівнями полікристалічного кремнію | triple-poly structure |
| струмопровідна доріжка з полікристалічного кремнію | polysilicon track |
| струмопровідна доріжка з полікристалічного кремнію | polysilicon strip |
| стрічка полікристалічного кремнію | poly silicon ribbon |
| тетрахлорид кремнію | silicon tetrachloride (SiCl4) |
| технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | SOS/CMOS process |
| технологія КМОН ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | CMOS-on-sapphire process |
| технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію | scaled Poly 5 process |
| технологія масштабованих іонно-легованих n-МОН ІС з кремнієвими затворами і двома шарами полікристалічного кремнію | Poly 5 process |
| технологія МОН ІС з двома шарами полікристалічного кремнію | poly-squared MOS process |
| технологія МОН ІС з резисторами навантажень з полікристалічного кремнію | polysilicon-load technology |
| технологія МОН ІС з самосуміщеними затворами з полікристалічного кремнію | polysilicon self-aligned technology |
| технологія МОН ІС з трьома шарами полікристалічного кремнію | triply-poly process |
| технологія отримання кремнію | silicon technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній в діелектрику" | silicon-in-insulator technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній в сапфірі" | silicon-in-sapphire technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на діелектрику" | silicon-on-insulator technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire technology |
| технологія ІС із структурою типу "кремній на сапфірі" | sapphire dielectric isolation process |
| транзистор із структурою типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire transistor |
| утворення кратерів воронок в кремнії | silicon cratering |
| формування маски з нітриду кремнію | nitride masking |
| формування нітриду кремнію | nitridation |
| човник з полікристалічного кремнію | polysilicon boat |
| човник з полікристалічного кремнію | polyboat |
| чорний кремній | black silicon (оптичний ефект темного кремнію на дні витравлених канавок) |
| шар діоксиду кремнію, сформований електронно-променевою обробкою | E-beam quartz |
| шар кремнію, одержаний методом хімічного осадження з парової фази | CVD silicon |
| шар нітриду кремнію, сформований методом плазмового осадження | plasma-deposited nitride |
| шар полікристалічного кремнію | polysilicon layer |
| шина з полікристалічного кремнію | polysilicon bus |
| ізольована епітаксія кремнію | isolated silicon epitaxy |
| ізолююча канавка, заповнена оксидом кремнію | oxide isolation trench |
| ізолюючий діоксид кремнію | insulation oxide |
| ізолюючий шар з діоксиду кремнію | SiO2 insulator |
| комбінована ізоляція елементів ІС полікристалическим кремнієм і оксидом кремнію | poly-oxide process |
| ізоляція подвійним шаром полікристалічного кремнію | double-polysilicon isolation |
| ізоляція подвійним шаром полікристалічного кремнію | double-poly isolation |
| ізоляція полікристалічним кремнієм | polycrystal isolation |
| І2Л-схема з ізоляцією елементів полікристалічним кремнієм | polysilicon integrated injection logic |
| іонно-імплантований діоксид кремнію | implanted oxide |
| іонно-імплантований кремній | ion-implanted silicon |
| ІС на структурі типу "кремній на діелектриуку" | SOI integrated circuit |
| ІС на структурі типу "кремній на сапфірі" | SOS integrated circuit |
| ІС на структурі типу "кремній на сапфірі" | silicon-on-sapphire integration |
